专业底座:110nm 中试线 + 几十万组真实数据

工艺来源:国内首条110nm、6/8寸 CMOS 兼容光子芯片中试线（2024年9月启用，110台国际顶级设备）

数据规模:6寸薄膜铌酸锂晶圆累计流片数十万组，覆盖设计、刻蚀、沉积、测试全节点，形成“数据-模型-工艺”闭环

参数级别:千亿级多模态大模型，支持文本、图纸、仿真曲线混合输入，单模型完成跨域“翻译”

核心功能:全链路智能助手

需求→器件:输入指标自动输出器件架构、工艺窗口与仿真文件

制造→优化:实时预测工艺偏差，给出参数调整建议，减少试片次数

测试→分析:自动解析测试曲线，定位异常并生成报告，支持 JMP/Python 导出

文档生成:一键输出 PDK 更新说明、工艺卡片及项目汇报 PPT

实测成效:1个月 VS8个月

周期:传统外包流片6-8个月 → LightSeek1个月完成设计+仿真+流片+测试

成本:试片次数减少40%，人工工时下降60%

良率:首批试点3款硅光调制芯片，首次流片良率提升12%

开放策略:模型、接口、设备全链路开源

模型开放:2025Q1发布可商用 LightSeek-Lite（70B）权重与推理代码

接口开放:提供 REST API 与 Python SDK，企业可一键接入自有 EDA/PDK

设备直连:与国产装备厂商共建「智能体-设备」协议，支持工艺参数实时回写

标准共建:联合华为、中兴、中科院微系统所等发起《光子芯片 AI 设计白皮书》2025版